|
序号
|
测试项目
|
缩写
|
样品数/批
|
批数
|
测试方法
|
附加条件
|
|
A1
|
Pre-condition
|
PC
|
77*4
|
3
|
J-STD-020E，JESD-A113
|
只对A2，A3，A4，A5&C8进行预处理
|
|
A2
|
Highly ccelerated Stress Test
|
HAST
|
77
|
3
|
JESD22 A-110
|
1、96H，Ta=130℃，RH=85%；
2、Vbe=Vbemax
3、试验前后电测
|
|
A2 alt
|
High Humidity High Temp.Reverse Bias
|
H3TRB
|
77
|
3
|
JESD22 A-101
|
1、试验周期：1000H；
2、Ta=85℃/85%RH；
3、Vbe=80%Vbemax；
4、试验前后电测
|
|
A3
|
Unbiased Highly Accelerated Stress Test
|
UHAST
|
77
|
3
|
JESD22 A-118
|
1、试验周期：96H；
2、Ta=130℃/85%RH； 3、UHAST前后进行TEST。
|
|
A3 alt
|
Autoclave
|
AC
|
77
|
3
|
JESD22 A-102
|
1、试验周期=96H；
2、Ta=121℃/100%RH，15psig；
3、AC前后进行TEST。
|
|
A4
|
Temperature Cycling
|
TC
|
77
|
3
|
JESD22 A-104 Appendix 6
|
1、试验周期：1000循环；
2、-55℃~150℃；
3、TC前后TEST
|
|
A4a alt
|
TC Delamination
Test
|
TCDT
|
77
|
3
|
JESD22 A-104 Appendix 6
J-STD-035
|
1、对TC结束后的器件进行C-Sam试验；
2、从5个分层最严重的器件中，按appendix 6进行开封，并作键合线拉力试验；
3、若C-Sam显示无分层，则不需开封和键合线拉力试验
|
|
A5
|
Intermittent
Operational Life
|
IOL
|
77
|
3
|
MIL-STD-750 Method 1037
|
1、试验周期由表2A推算；
2、Ta=25℃；
3、器件通电以确保ΔTJ≥100°C(不要超过绝对最大额定值)；
4、IOL前后进行TEST
|
|
A5 alt
|
Power Temperature Cycling
|
PTC
|
77
|
3
|
JESD22-A105
|
1、试验周期由表2A推算；
2、Ta=-40~105℃，转换时间20min，停留时间10min；
3、Ion=Icmax，ton/toff=5min；
4、IOL前后进行TEST
|
|
B1
|
High Temperature
Reverse Bias
|
HTRB
|
77
|
3
|
MIL-STD-750-1
M1039 condition A
|
1、试验周期：1000H；
2、Vbe=Vbemax；
3、Ta=150℃，需要根据漏电流大小调整；
4、HTRB前后进行TEST
|
|
C1
|
Destructive
Physical Analysis
|
DPA
|
2
|
1
|
AEC-Q101-004
Section 4
|
从通过H3TRB或HAST 、TC试验的样品中随机各抽取2只
|
|
C2
|
Physical
Dimension
|
PD
|
30
|
1
|
JESD22
B-100
|
验证物理尺寸和公差
|
|
C3
|
Wire Bond
Strength
|
WBS
|
10
|
1
|
MIL-STD-750
Method 2037
|
进行前后过程变化对比以评估过程变化的稳健性
|
|
C4
|
Bond Shear
|
BS
|
10
|
1
|
AEC-Q101-003
|
有关验收标准和如何执行测试的详细信息，请参阅附带的程序。
|
|
C5
|
Die Shear
|
DS
|
5
|
1
|
MIL-STD-750
Method 2017
|
进行前后过程变化对比以评估过程变化的稳健性
|
|
C8
|
Resistance to
Solder Heat
|
RSH
|
30
|
1
|
JESD22
A-111 (SMD)
B-106 (PTH)
|
RSH试验前后都要都要进行TEST，SMD部件应在测试期间完全浸没，并按MSL等级进行预处理。
|
|
C9
|
Thermal
Resistance
|
TR
|
10
|
1
|
JESD24-3,24-4,26-6视情况而定
|
G-D短接方式测量热阻
|
|
C10
|
Solderability
|
SD
|
10
|
1
|
J-STD-002
JESD22B102
|
放大50X,参考表2B中的测试方法A，对于通孔应用测试方法A，或对SMD应用测试方法B和D.
|
|
C11
|
Whisker Growth
Evaluation
|
WG
|
3
|
3
|
AEC-Q005
|
晶须生长，采用温冲的条件：-40~+85℃的温循，1小时3循环，1500循环，试验后采用SEM进行锡须观察
|
|
E0
|
External Visual
|
EV
|
每项试验前后均进行测试
|
JESD22-B101
|
产品外观检查（结构、标识、工艺）
|
|
E1
|
Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test
|
TEST
|
所有应力试验前后均进行测试
|
用户规范或供应商的标准规范
|
应力试验前后在室温下测量以下静态参数：BVDSS、IDSS、IGSS、RDS(ON)、VGS(th)
|
|
E2
|
Parametric Verification
|
PV
|
25
|
3
|
用户规范
|
依据产品规格书测试器件参数，以确保符合规范
|
|
E3
|
ESD
Characterization
|
ESDH
|
30
|
1
|
AEC-Q101-001
|
应力试验前后都要都要进行TEST
|
|
E4
|
ESD
Characterization
|
ESDC
|
30
|
1
|
AEC-Q101-005
|
应力试验前后都要都要进行TEST
|
|
E5
|
Unclamped
Inductive
Switching
|
UIS
|
5
|
1
|
AEC-Q101-004
Section 2
|
进行前后过程变化对比以评估过程变化的稳健性（只针对功率MOS和内部钳位IGBT）
|
国内认证